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BSM75GB120DN2 - SIEMENSPDF資料
英文描述：IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
中文描述：IGBT功率模塊（半橋包括快速續流二極管的絕緣金屬基片包）
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BSM75GB120DN2 - INFINEONPDF資料
英文描述：
中文描述：IGBT 模塊 1200V 75A DUAL
技術規格：制造商:Infineon;產品種類:IGBT 模塊;RoHS:否;產品:IGBT Silicon Modules;配置:Half Bridge Module;集電極—發射極較大電壓 VCEO:1200 V;集電極—射極飽和電壓:2.5 V;Continuous Collector Current at 25 C:105 A;柵極—射極漏泄電流:320 nA;功率耗散:625 W;較大工作溫度: 150 C;封裝 / 箱體:Half Bridge1;柵極/發射極較大電壓:20 V;安裝風格:Screw;Standard Pack Qty:500
BSM75GB120DN2_E3223 - INFINEONPDF資料
英文描述：
中文描述：IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A
技術規格：制造商:Infineon;產品:IGBT Silicon Modules;配置:Dual;集電極—發射極較大電壓 VCEO:1200 V;Continuous Collector Current at 25 C:105 A;較大工作溫度: 150 C;封裝 / 箱體:34MM;封裝:Reel;柵極/發射極較大電壓: /- 20 V;小工作溫度:- 40 C;安裝風格:Screw
BSM75GB120DN2_E3223C-SE - INFINEONPDF資料
英文描述：
中文描述：IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A
技術規格：制造商:Infineon
