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XP15型號(hào)：XP152A01D08MR XP152A01D8MR-G XP152A11E5MR XP152A11E5MR-G XP152A12A0MR XP152A12C02MR XP152A12C0MR XP151A02B0MR
The XP152A12C0MR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed
switching
characteristics.
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy.
In order to counter static, a gate protect diode is built-in.
The small SOT-23 package makes high density mounting possible.
漏源電壓（Vdss） -20 V
柵源電壓（Vdss）±12 V
漏電流（DC） Id -0.7 A
漏電流（脈沖） Idp -2.8 A
反向漏電流 Idr -0.7 A
通道功耗 * Pd 0.5 W
存儲(chǔ)溫度 Tstg -55~150 ℃
XP152A12C0MR應(yīng)用：筆記本電腦 移動(dòng)電話、便攜式電話 電源供應(yīng)器 手機(jī)電池，計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車(chē)電子、音響電路及儀器、儀表等領(lǐng)域。
XP152A12C0MR結(jié)構(gòu)：它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底，在其面上擴(kuò)散了兩個(gè)N型區(qū)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiQ2)絕緣層
，后在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個(gè)孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內(nèi)做成三個(gè)電極：G(柵極)、S(源極)及D(漏極
